半导体压力传感器分为半导体PN结(或肖特结)在应力作用下I-特性变化的原理制作的各种压敏二极管和晶体管。这种压力敏感元件的性能非常不稳定，没有得到很大的发展。另一种是基于半导体压阻效果的传感器，是半导体压力传感器的主要品种。早期，大多数半导体应变片粘贴在弹性元件上，形成各种应力和应变测量仪器。1960年代，随着半导体集成电路技术的发展，出现了半导体压力传感器，以扩散电阻为压力部件。这种压力传感器结构简单可靠，没有相对的运动部件，传感器的压力敏感部件和弹性部件融为一体，避免了机械滞后和蠕变，提高了传感器的性能。
半导体抗压效果半导体具有与外力相关的特性，即阻力率(用符号锆表示)随承受的应力而变化，称为抗压效果。单位应力下产生的阻力率的相对变化称为阻力系数，用符号π表示。以数学形式表示α/α=σ。
官方中σ表示应力。半导体阻力受应力时产生的阻力值的变化(壹R/R)主要由阻力率的变化决定，因此上述阻力效应的表现形式也可以写成壹R/R=πσ。
在外力的作用下，半导体晶体产生一定的应力(σ)和应变(?)，其关系由材料的杨氏模量(y)决定，即Y=σ/◎。
半导体承受的应变表示阻力效果时，为壹R/R=G穴位。
G是压力传感器的敏感因子，代表单位应变引起的电阻值的相对变化。
压力系数或敏感因素是半导体压力效应的基本物理参数。就像应力和应变关系一样，它们之间的关系取决于材料的杨氏模量，即G=πY。
由于半导体晶体在弹性上各向异性，杨氏模量和压阻系数随晶体方向而变化。半导体的阻力效果也与半导体的阻力率密切相关，阻力率越低，灵敏度越小。暖气片的压阻效果取决于暖气片的晶体方向和杂质浓度。杂质浓度主要指散热器表面的杂质浓度。
常用的半导体压力传感器使用n型硅片作为基材。首先，硅片制成一定几何形状的弹性受力部件。在这个硅片的受力部分，沿着不同的结晶制造4个p型扩散电阻，用这4个电阻构成4个臂惠斯登桥。在外力的作用下，阻值的变化变为电信号输出。这种具有压力效应的惠斯登电桥是压力传感器的心脏，通常称为压力电桥。压力桥架的特点是①桥架四臂电阻值相等(均为R0)②桥架相邻臂架的压力效应值相等，符号相反③桥架四臂电阻温度系数相同，始终处于同一温度。R0为室温下无应力时的电阻值；RT为温度变化时的电阻温度系数（α）变化；△R为承受应变时引起的阻力值变化；桥梁输出电压为u=I0壹=恒流源桥=I0RG（恒流源桥）。
其中I0为恒流源电流，e为恒压源电压。压力电桥的输出电压与应变(莪)直接成正比，与阻温系数引起的RT无关，大大降低了传感器的温度漂移。半导体压力传感器中应用最广泛的是检测流体压力的传感器。其主要结构是由单晶硅材料组成的薄膜盒。膜片为杯状，杯底为外力部分，压力电桥为杯底。用同样的硅单晶材料制成环形座椅，将薄膜粘在座椅上。该压力传感器具有灵敏度高、体积小、固体化等优点，已广泛应用于航空、航空、自动仪器、医疗仪器等领域。
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