压阻式压力传感器的制造工艺概述

典型的压力传感器可以分为压阻、电容、压电、共振、伺服控制和CMQS集成等几种类型。压阻式压力传感器又称扩散硅压力传感器，其制造工艺简单，线性好，价格一般也比较低，但对温度比较敏感，有可能会出现温度漂移，而且灵敏度较低，典型产品的技术参数如下。

一是不同的工作原理。

采用单晶硅的压阻效应，构成压阻式压力传感器。

大多数压电式压力传感器都采用正压电效应来制作。

二是侧重点不同。

压电式压力传感器当晶体受到一个固定方向的外力的作用时，在其内部会产生电偏振现象，同时在两个表面上会同时产生符号相反的电荷；当外力被移走之后，晶体又回到不带电的状态；当外力的方向发生变化时，电荷的极性也会发生变化；晶体的电荷量与外力的大小成正比。

压阻式压力传感器以单晶硅片为弹性元件，采用集成电路工艺，在单晶硅膜片上沿一定方向扩散一组等值电阻，并将电阻接合到桥路上，将单晶硅片置于传感器腔中。单晶硅在压力变化时会产生应变，使得应变电阻直接扩散到上面，产生正比于被测压力的变化，然后通过桥式电路获得相应的电压输出信号。

三是结构不同。

压电式压力传感器是基于压电效应的传感器。其类型和型号多种多样，按其弹性敏感元件的形式和受力机构可分为膜片式和活塞式两种。隔膜式主要由本体、隔膜和压电元件组成。

压阻传感器采用集成工艺在单晶硅薄膜上集成电阻条，制作硅压阻芯片，并将该芯片的周边固定封装在薄膜内，引出电极引线。

压力表是用来测量工质压力的元件，其输出一般为连续模拟信号。压力开关是根据压力控制电路而关闭的元件，其输出通常为开关值。

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